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RZR025P01TL-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.2A
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- 描述
- 欢迎选购RZR025P01 P沟道MOS管，采用高效能SOT-23封装，适用于各类精密电子设备。本器件具有出色的电气性能，工作电压高达VDSS20V，连续电流容量高达ID4.2A，低至48mΩ的导通电阻，确保了卓越的能源转换效率与稳定的电路控制能力。无论是电源管理还是信号切换应用，它都能提供出色的稳定性和耐用性，是您设计项目中的理想选择。
- 商品型号
- RZR025P01TL-HXY
- 商品编号
- C22367046
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
DMG2301L采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = - 20V，ID = - 2.3A
- 在VGS = - 4.5V时，RDS(ON) < 140mΩ
- 在VGS = - 2.5V时，RDS(ON) < 170mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- P沟道MOSFET