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FDN8601-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:5A
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- 描述
- FDN8601 N沟道MOS管，采用节省空间的SOT-23-3L封装形式，专为高功率密度设计。该器件特性优良，支持高达100V的工作电压VDSS，连续电流能力达到5A，并具有竞争力的100mR导通电阻，以实现高效能和低热耗损。广泛应用于电源开关、电机驱动、电池管理系统等场合，凭借其卓越的性能与可靠性，是您优化电路设计、提升系统效能的理想选择。
- 商品型号
- FDN8601-HXY
- 商品编号
- C22367047
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 196pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 21.4pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
IRLML6402GPbF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -4.2A
- 当VGS = -4.5V时，RDS(ON)为55mΩ
- 当VGS = -2.5V时，RDS(ON)为75mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- P沟道MOSFET