温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRLML2246PBF-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- IRLML2246PbF 是一款高性能P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为高密度和低功耗应用设计。其主要特性包括最高耐压VDSS达到20V，可提供高达2.3A的连续漏极电流，显示卓越的电流处理性能。此外，器件具有较低的导通电阻RD(on)95mR，有效减少功率损耗，增强系统能效。这款MOS管因具备快速开关速度、低导通电阻及高稳定性，广泛应用于电源管理、负载开关、便携式电子设备等领域，是您理想的半导体组件选择。
- 商品型号
- IRLML2246PBF-HXY
- 商品编号
- C22367036
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 650mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
SI9926CDY-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 8A
- RDS(ON) < 20mΩ（VGS = 4.5V时）
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源