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SI2301CDS-T1-GE3-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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- 描述
- SI2301CDS-T1-GE3 是一款高性能P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装技术，专为低功耗及高集成度设计。其关键特性包括工作电压VDSS高达20V，可承载2.3A连续漏极电流，提供出色的电力管理能力。导通电阻RD(on)仅为95mR，有效减少能源消耗，提升系统能效。SI2301CDS-T1-GE3 MOS管凭借卓越的开关性能、小巧封装尺寸及高稳定性，广泛应用于电源开关控制、电池保护、便携式电子设备等多元化场景，是您优化电路设计的理想半导体元件。
- 商品型号
- SI2301CDS-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22367037
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 650mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
IRF7351PBF采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更高的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V，漏极电流 ID = 15 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 15 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用