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PMV48XP-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.2A
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- 描述
- 此场效应管为P型，电流4.2A，可满足特定功率需求。电压20V，适用于多种常见电路场景。内阻典型值48mR，会在一定程度上影响能量损耗。VGS为12V。在消费电子领域，可用于特定电子设备的电流调控。
- 商品型号
- PMV48XP-HXY
- 商品编号
- C22367044
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024643克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
FDN8601采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性，适用于
商品特性
- 漏源电压VDS = 100V，漏极电流ID = 5A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 140mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用