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IRLML6402GPBF-HXY
P沟道 20V 4.2A
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- 描述
- IRLML6402GPbF 是一款高性能P沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，专为高效能、低功耗应用设计。其核心特性包括最高工作电压VDSS为20V，能够处理高达4.2A的连续漏极电流，凸显卓越的电力管理性能。器件亮点是其超低的导通电阻RD(on)仅为48mR，有效节省能源并提升系统效率。得益于其出色的开关速度、高电流承载能力和稳定的运行表现，IRLML6402GPbF MOS管广泛应用在电源转换、电池保护、便携式电子设备等诸多领域，是您电路设计的理想半导体元件。
- 商品型号
- IRLML6402GPBF-HXY
- 商品编号
- C22367041
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V；60mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
BSO150N03MDG采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 11.5A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 30mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 42mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源