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IRLML6402PBF-HXY
N沟道 20V 4.2A
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- 描述
- IRLML6402PbF 是一款高性能P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为高集成度、低功耗电路设计。产品特点包括工作电压VDSS高达20V，具备4.2A连续漏极电流能力，展现出强大的电流处理性能。器件优势在于其极低的导通电阻RD(on)，仅为48mR，有效降低功耗，提升整体能效。IRLML6402PbF MOS管凭借出色的开关特性、高电流承载能力和卓越稳定性，广泛应用于电源转换、电池管理、便携式设备等领域，是您电路设计的理想半导体组件。
- 商品型号
- IRLML6402PBF-HXY
- 商品编号
- C22367042
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
IRF8313PBF采用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 11.5A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 30mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 42mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源