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BSO150N03MDG-HXY
2个N沟道 耐压:30V 电流:11.5A
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- 描述
- BSO150N03MDG 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，专为高集成度和节能应用设计。其主要规格包括VDSS耐压高达30V，可稳定承载11.5A的连续漏极电流，彰显出卓越的电力处理性能。尤其突出的是，器件具有极低的导通电阻RD(on)仅为10mR，大大减少了能量损耗，提高了整体能效。BSO150N03MDG MOS管以出色的开关速度、低功耗及高稳定性等特性，广泛应用于电源转换、电机驱动、消费电子等领域，是您追求高效能方案的理想半导体组件选择。
- 商品型号
- BSO150N03MDG-HXY
- 商品编号
- C22367032
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1165克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 633pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 99pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |