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IRF7351PBF-HXY
2个N沟道 耐压:60V 电流:15A
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- 描述
- IRF7351PbF 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，适用于各种高效能电路设计。其关键特性包括承受电压VDSS高达60V，可提供高达15A的连续漏极电流，确保强劲电力处理能力。尤其独特的是，其导通电阻RD(on)仅为12mR，显著降低能耗，提升整体系统能效。IRF7351PbF MOS管凭借其卓越的开关性能、大电流承载能力和出色的稳定性，广泛应用于电源转换、电机驱动、逆变器系统等多元领域，是您设计高效率电子产品的理想半导体器件选择。
- 商品型号
- IRF7351PBF-HXY
- 商品编号
- C22367034
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF@25V |
商品概述
DMN2029USD采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 8A
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 20mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源