温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMG2301L-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 这款场效应管为P型，电流2.3A，电压20V。内阻典型值为120mR，VGS为12V。适用于多种消费电子领域，在一些小型电子设备中，可用于电流控制和电压调节，确保设备稳定运行，同时其参数也能满足一定功率需求下的电子电路设计。
- 商品型号
- DMG2301L-HXY
- 商品编号
- C22367035
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 650mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 285pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 58pF |
商品概述
DMG2301L采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,且能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = - 20V,ID = - 2.3A
- 在VGS = - 4.5V时,RDS(ON) < 140mΩ
- 在VGS = - 2.5V时,RDS(ON) < 170mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- P沟道MOSFET