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FDS6910-HXY
2个N沟道 耐压:30V 电流:11.5A
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- 描述
- FDS6910 是一款高效能N+N沟道MOSFET，采用节省空间的SOP-8封装形式，特别适应于高集成度与高性能需求的应用场景。产品关键参数如下VDSS工作电压高达30V，可持续提供11.5A的大电流处理能力，充分满足严苛的电力传输需求。其导通电阻RD(on)仅为10mR，极大程度地减少了功率损失，实现了卓越的能效表现。FDS6910 MOS管因具备优越的开关性能、低导通电阻及高稳定性，广泛应用于电源管理、电机驱动、消费类电子等多个领域，是您的设计工程中不可或缺的优质半导体组件。
- 商品型号
- FDS6910-HXY
- 商品编号
- C22367033
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.118235克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22.5mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FDS6892A采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并支持低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 8A
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 20mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源