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SI9926CDY-T1-GE3-HXY
2个N沟道 耐压:20V 电流:8A
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- 描述
- SI9926CDY-T1-GE3 型号MOS管采用创新N+N沟道工艺，封装在节省空间的SOP-8封装形式中，专为现代高集成度电子设备设计。在20V额定电压VDSS下，器件可稳定承载8A的连续漏极电流ID，并配备超低的13mR导通电阻RD(on)，实现高效率与低功耗运行。广泛应用于电源转换、负载驱动等领域，是优化系统性能和节能效果的理想半导体器件。
- 商品型号
- SI9926CDY-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22367025
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 57mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
SI4202DY-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 11.5A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 30mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 42mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源