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DMN2029USD-HXY
2个N沟道 耐压:20V 电流:8A
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- 描述
- 此场效应管为N+N型，电流8A，可承载一定功率。电压20V，适用于多种常见电路场景。内阻典型值13mR，降低能量损耗。VGS为12V。在消费电子领域，可用于特定电子设备的电流控制和稳定运行。
- 商品型号
- DMN2029USD-HXY
- 商品编号
- C22367026
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.115克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 57mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
AO9926B采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 8A
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 20mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源