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SI4202DY-T1-GE3-HXY
2个N沟道 耐压:30V 电流:11.5A
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- 描述
- SI4202DY-T1-GE3 是一款高端N+N沟道MOSFET，采用小型化SOP-8封装工艺，旨在满足现代电子设备对高效、紧凑设计的需求。其核心技术参数包括耐受电压VDSS高达30V，最大连续漏极电流ID为11.5A，充分展现强大的电力处理效能。特别强调的是，器件的导通电阻RD(on)仅为10mR，有助于大幅削减功耗，实现更高的能源利用效率。
- 商品型号
- SI4202DY-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22367030
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1165克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 633pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 99pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |