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FDS6892A-HXY
2个N沟道 耐压:20V 电流:8A
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- 描述
- FDS6892A 型号MOS管采用N+N沟道工艺，封装在小巧的SOP-8封装形式中，专为现代高集成度电路设计。在20V额定电压VDSS下，器件能稳定传输8A的连续漏极电流ID，同时具备优秀的13mR导通电阻RD(on)，确保了高效能与低功耗表现。广泛应用于电源转换、负载驱动等领域，是提升系统性能和节能减排的优质半导体组件。
- 商品型号
- FDS6892A-HXY
- 商品编号
- C22367027
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.115克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 57mΩ@1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SI4825DDY-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -9A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 20 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源