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AO9926C-HXY
2个N沟道 耐压:20V 电流:8A
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- 描述
- AO9926C 是一款高性能N+N沟道MOS管，采用紧凑型SOP-8封装，适用于各类精密电子设备。其拥有20V的额定电压VDSS和高达8A的连续漏极电流ID，确保了卓越的电能处理能力。尤为突出的是，该器件导通电阻仅为13mΩ，有效降低功率损耗，提高系统能效。
- 商品型号
- AO9926C-HXY
- 商品编号
- C22367028
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.115克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |