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SI4435DDY-T1-GE3-HXY
1个P沟道 耐压:30V
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- 描述
- SI4435DDY-T1-GE3 型号MOS管采用高效P沟道工艺，封装于小巧的SOP-8封装中，专为高集成度电路设计。在30V额定电压VDSS下，该器件可轻松应对9A的连续漏极电流ID，且拥有出色的18mR导通电阻RD(on)，实现卓越的能效和低功耗表现。广泛应用于电源管理、电机驱动等众多场景，是优化系统性能和节能减排的理想半导体元件。
- 商品型号
- SI4435DDY-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22367020
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.175nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 195pF |