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AO4411-HXY
耐压:30V 电流:6A
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- 描述
- AO4411 型号MOS管，采用先进P沟道技术制造，封装于紧凑型SOP-8封装内，专为现代高集成度电路设计。在30V额定电压VDSS下，器件可稳定承载9A的连续漏极电流ID，并具备超低的18mR导通电阻RD(on)，实现卓越的能效比与低功耗表现。广泛应用于电源转换、电机驱动等领域，是提升系统性能和节能效果的理想半导体组件。
- 商品型号
- AO4411-HXY
- 商品编号
- C22367021
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.119克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 1.69nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
DMP3098LSS采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -5.8A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 55 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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