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SI4825DDY-T1-GE3-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:9A
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- 描述
- SI4825DDY-T1-GE3 型号MOS管运用尖端P沟道技术，采用紧凑型SOP-8封装，专为现代电子设备的小型化与高性能需求设计。在30V额定电压VDSS下，器件能稳定处理9A的连续漏极电流ID，并具有超低的18mR导通电阻RD(on)，确保了高效能与低功耗特性。广泛应用于电源转换、电机驱动等场合，是提升系统性能和节能效果的理想半导体器件。
- 商品型号
- SI4825DDY-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22367023
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.117克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.69nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 195pF |
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