温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AO4449-HXY
1个P沟道 耐压:30V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- AO4449 型号MOS管采用领先P沟道技术，封装于小型化SOP-8封装形式，专为现代高集成度电路设计。在30V额定电压VDSS下，器件可承载高达9A的连续漏极电流ID，并具有优越的18mR导通电阻RD(on)，确保高效能、低功耗运行。广泛应用于电源管理、电机驱动等应用场景，是优化系统性能和节能减排的理想半导体元件选择。
- 商品型号
- AO4449-HXY
- 商品编号
- C22367022
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.69nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 195pF |
商品概述
ST9435A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流 ID = -5.8A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 55 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐
- SI4825DDY-T1-GE3-HXY
- AO9926B-HXY
- SI9926CDY-T1-GE3-HXY
- DMN2029USD-HXY
- FDS6892A-HXY
- AO9926C-HXY
- IRF8313PBF-HXY
- SI4202DY-T1-GE3-HXY
- AO4832-HXY
- BSO150N03MDG-HXY
- FDS6910-HXY
- IRF7351PBF-HXY
- DMG2301L-HXY
- IRLML2246PBF-HXY
- SI2301CDS-T1-GE3-HXY
- DMP2120U-HXY
- DMP2123L-HXY
- DMP2130L-HXY
- IRLML6402GPBF-HXY
- IRLML6402PBF-HXY
- DMP2305U-HXY