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AO4419-HXY
30V
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- 描述
- AO4419 型号MOS管采用P沟道技术，封装于紧凑型SOP-8外壳，特别适合现代高密度电路设计需求。在30V额定电压VDSS下，该器件能够出色承载9A的连续漏极电流ID，而且其导通电阻RD(on)仅为18mR，确保了卓越的能效比和低功耗性能。广泛应用于电源管理、马达驱动等领域，是增强系统性能和节能减排的优选半导体元件。
- 商品型号
- AO4419-HXY
- 商品编号
- C22367018
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1205克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 1.69nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 195pF |
商品概述
AO4419采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压 = - 30V，漏极电流 = - 9A
- 栅源电压为10V时，漏源导通电阻 < 20 mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源
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