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ST9435A-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- ST9435A 型号MOS管运用先进技术的P沟道架构，采用紧凑型SOP-8封装形式，专为现代电子产品的小型化与高性能要求设计。该器件能在30V额定电压VDSS下稳定工作，提供高达5A的连续漏极电流ID，且具有优秀的43mR导通电阻RD(on)，确保低功耗和高效能表现。广泛应用在电源转换、电机驱动等场景，是优化系统性能和节能降耗的优质半导体元件。
- 商品型号
- ST9435A-HXY
- 商品编号
- C22367010
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.115909克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NTMFS4C027N采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件专门设计，具备更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30 V，漏极电流ID = 60 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 5.8 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流电源
- 同步整流应用