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IRF9335-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- 这款场效应管为P型，电流5.8A，可适应一定功率的电路运行。电压30V，能在多种常见电路环境中工作。内阻典型值43mR。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定电子设备的电流控制，保障设备稳定运行。
- 商品型号
- IRF9335-HXY
- 商品编号
- C22367015
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.115455克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
AO4449采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -9A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 20mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源