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FDS9400A-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- FDS9400A 型号MOS管采用高效P沟道技术，封装于小巧的SOP-8封装中，专为紧凑型电子设备设计。在30V额定电压VDSS下，器件能稳定提供5A漏极电流ID，且具有极低的43mR导通电阻RD(on)，确保了高效率与低功耗表现。广泛应用于电源转换、负载驱动等场合，是优化系统性能、实现节能目标的理想半导体元件。
- 商品型号
- FDS9400A-HXY
- 商品编号
- C22367016
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.115455克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
SM4405PRL采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -5.8A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 55 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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