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FDFS2P753Z-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- FDFS2P753Z 型号MOS管采用精湛P沟道工艺，封装在紧凑型SOP-8封装内，特别适合现代高集成度电路设计。该器件在30V额定电压VDSS下稳定运行，能承载5A的强劲连续漏极电流ID，同时具有业界领先的43mR低导通电阻RD(on)，从而实现高效能与低功耗表现。广泛应用于电源管理、电机驱动等领域，是优化系统性能和节能环保的优质半导体元器件。
- 商品型号
- FDFS2P753Z-HXY
- 商品编号
- C22367013
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.115455克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |