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AO4403-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- AO4403 型号MOS管，利用先进的P沟道技术制造，采用紧凑型SOP-8封装形式，专为现代电子设备的小型化和高效能需求设计。在30V额定电压VDSS下，器件可稳定承载5A连续漏极电流ID，并具有行业领先的低至43mR的导通电阻RD(on)，确保了卓越的功率转换效率和节能性能。广泛应用在电源转换、负载驱动等场景，是提升系统性能的理想半导体元件选择。
- 商品型号
- AO4403-HXY
- 商品编号
- C22367014
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.115455克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
DMP3037LSS采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V
- ID = -9A
- RDS(ON)< 20 mΩ@ VGS=10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源