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AO4403-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- AO4403 型号MOS管，利用先进的P沟道技术制造，采用紧凑型SOP-8封装形式，专为现代电子设备的小型化和高效能需求设计。在30V额定电压VDSS下，器件可稳定承载5A连续漏极电流ID，并具有行业领先的低至43mR的导通电阻RD(on)，确保了卓越的功率转换效率和节能性能。广泛应用在电源转换、负载驱动等场景，是提升系统性能的理想半导体元件选择。
- 商品型号
- AO4403-HXY
- 商品编号
- C22367014
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.115455克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |