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SM95N03AD1RL-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- SM95N03AD1RL 是一款N沟道MOSFET，采用小型化DFN5X6-8L封装，专为高密度、高性能电路设计。该器件能在30V电压VDSS下稳定工作，提供高达80A的连续电流，确保强大而稳定的电力传输。其独特优势在于拥有4.3mR的超低导通电阻RD(on)，有效降低了功率损耗，提高了整体能效。SM95N03AD1RL 适用于电源转换、电机驱动、以及其他要求高效低耗的半导体应用领域。
- 商品型号
- SM95N03AD1RL-HXY
- 商品编号
- C22367003
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SIR424DP-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V ID = 60A
- RDS(ON) < 5mΩ VGS = 4.5V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源