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SM9435PRL-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- SM9435PRL 型号MOS管采用了先进的P沟道技术，封装形式为小巧的SOP-8，为现代紧凑型电路设计提供了理想解决方案。该器件在30V额定电压VDSS下运作稳定，最大可承载5A的连续漏极电流ID，并具有仅为43mR的超低导通电阻RD(on)，确保了高效能与低功耗表现。这款MOS管广泛应用于电源管理、负载驱动等领域，是提升系统性能和节能效果的优选半导体元件。
- 商品型号
- SM9435PRL-HXY
- 商品编号
- C22367008
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.115909克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
BSC037N08NS5采用先进的SGT MOSFET技术，提供低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。 该器件经过专门设计，具备更好的耐用性和适用性。
商品特性
- VDS = -30V ID = -5.8A
- RDS(ON) < 55mΩ @ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源