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FDMS0312AS-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- FDMS0312AS 是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型DFN5X6-8L封装技术，专为高效率、低功耗应用设计。在30V电压VDSS下，该器件能够稳定处理高达80A的连续电流，体现卓越的电流承载能力。其关键特性在于仅有4.3mR的超低导通电阻RD(on)，显著提升能效，减少系统损耗。FDMS0312AS 适用于电源转换、电机驱动、以及其他需要高效半导体组件的场合。
- 商品型号
- FDMS0312AS-HXY
- 商品编号
- C22367004
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.130429克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 814pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 498pF |
商品概述
SIR468DP-T1-GE3采用先进的SGT MOSFET技术，可提供低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更高的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V，漏极电流（ID） = 60 A
- 当栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 5.8 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用