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SIR424DP-T1-GE3-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:80A
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- 描述
- SIR424DP-T1-GE3 是一款N沟道MOSFET，采用小型化DFN5X6-8L封装设计，专为高功率密度和低能耗应用打造。在20V电压VDSS下，该器件可稳定提供80A的连续电流，满足大电流处理需求。其核心优势在于具有3.5mR超低导通电阻RD(on)，极大优化了能效表现，降低了功耗。广泛适用于电源转换、电机驱动以及其他需要高性能MOSFET的场合，SIR424DP-T1-GE3 是您实现高效、节能设计的理想选择。
- 商品型号
- SIR424DP-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22367005
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.136克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 58W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 386pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
NTMFS4925N采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更高的耐用性，适用于
商品特性
- 漏源电压VDS = 30 V
- 漏极电流ID = 60 A
- 栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 5.8 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用