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FDS9435A-HXY
耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- FDS9435A 型号MOS管，采用精良P沟道工艺制造，封装形态为节省空间的SOP-8，专为现代电子设备的小型化设计服务。该器件拥有30V的额定电压VDSS，可承载5A的强大连续漏极电流ID，且导通电阻RD(on)低至43mR，确保高效能、低损耗运行。此款MOS管广泛适用于电源转换、负载切换等场景，以其出色的电气性能成为优化系统效能的关键组件。
- 商品型号
- FDS9435A-HXY
- 商品编号
- C22367007
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.114克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
FDS9435A采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V，漏极电流（ID） = -5.8A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，RDS(ON) < 55 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源