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SM4405PRL-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SM4405PRL-HXY

1个P沟道 耐压:30V 电流:5.8A

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描述
SM4405PRL 型号MOS管,采用先进P沟道工艺,封装形式为小巧的SOP-8,专为现代高密度电路设计量身定制。器件能在30V额定电压VDSS下稳定工作,承载高达5A的连续漏极电流ID,同时配备超低的43mR导通电阻RD(on),确保高效能与节能运行。广泛应用于电源转换、电机驱动等多个领域,是提升系统性能和节能效果的理想半导体组件。
商品型号
SM4405PRL-HXY
商品编号
C22367012
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.115455克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.8A
导通电阻(RDS(on))55mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
栅极电荷量(Qg)11nC@10V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

商品概述

AM9435SA采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = -30V,ID = -5.8A
  • 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 55mΩ

应用领域

  • 电池保护-负载开关-不间断电源

数据手册PDF