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AON6576-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- AON6576 是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型DFN5X6-8L封装设计，专为高效率和小型化电子系统打造。该器件能够在30V的电压VDSS下稳定工作，提供高达80A的连续电流，满足大电流应用场景需求。其核心优势在于仅4.3mR的超低导通电阻RD(on)，大幅度降低了功率损耗，提高了系统能效。AON6576 广泛适用于电源转换、电机驱动、以及其他要求高效节能的半导体应用领域。
- 商品型号
- AON6576-HXY
- 商品编号
- C22367000
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.128889克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NVMFD5485NL采用先进的SGT MOSFET技术，具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60V，漏极电流ID = 35A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 14mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离直流
- 同步整流应用