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SIR468DP-T1-GE3-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- SIR468DP-T1-GE3 是一款采用小型化DFN5X6-8L封装的高性能N沟道MOSFET，专为高效能和空间敏感型设计而生。该器件在30V的电压VDSS下稳定工作，能提供高达80A的连续电流，充分满足高电流应用的需求。其亮点在于仅4.3mR的超低导通电阻RD(on)，有效减少能量损耗，提高整体能效。无论在电源转换、马达驱动还是其他大电流负载控制场合，SIR468DP-T1-GE3 都是理想的半导体元件解决方案。
- 商品型号
- SIR468DP-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366999
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.129464克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 814pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 498pF |
商品概述
SM95N03AD1RL采用先进的SGT MOSFET技术，具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30 V，漏极电流ID = 60 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 5.8 mΩ
应用领域
- 消费电子电源-电机控制-同步整流-隔离直流-同步整流应用