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NTMFS4925N-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- 这款场效应管为N型，电流达80A，可满足较高功率需求。电压为30V，适用于多种常见电路场景。内阻典型值4.3mR，能有效降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定电子设备的电流控制和功率调节。
- 商品型号
- NTMFS4925N-HXY
- 商品编号
- C22366995
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.128889克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AON6576采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30 V，漏极电流ID = 60 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 5.8 mΩ
应用领域
- 消费电子电源-电机控制-同步整流-隔离直流-同步整流应用