SISB46DN-T1-GE3-HXY

2个N沟道 耐压:40V 电流:40A

描述

SISB46DN-T1-GE3 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用超小型DFN3X3-8L封装，旨在满足现代紧凑型电路设计要求。器件特性包括最高漏源电压(VDSS)可达40V，提供40A的强大连续漏极电流(ID)，尤其出色的是其仅为7.2mΩ的超低导通电阻(RD(on))，在高电流传输时有效减少功耗，提高能源效率。这款MOS管广泛应用在电源转换等领域的高频开关和大电流控制场合，是高效、节能解决方案的理想之选。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SISB46DN-T1-GE3-HXY

商品编号

C22366987

商品封装

DFN3x3-8L​

包装方式

编带

商品毛重

0.066克(g)