温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SISB46DN-T1-GE3-HXY
2个N沟道 耐压:40V 电流:40A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- SISB46DN-T1-GE3 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用超小型DFN3X3-8L封装，旨在满足现代紧凑型电路设计要求。器件特性包括最高漏源电压(VDSS)可达40V，提供40A的强大连续漏极电流(ID)，尤其出色的是其仅为7.2mΩ的超低导通电阻(RD(on))，在高电流传输时有效减少功耗，提高能源效率。这款MOS管广泛应用在电源转换等领域的高频开关和大电流控制场合，是高效、节能解决方案的理想之选。
- 商品型号
- SISB46DN-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366987
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.066克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 43.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 690pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF@15V | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NTTFS5C466NL采用先进的SGT MOSFET技术，具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源极电压VDS = 40 V
- 漏极电流ID = 40 A
- 当栅源极电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 8.5 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离直流
- 同步整流应用
相似推荐
其他推荐
- SI7309DN-T1-E3-HXY
- IPG20N06S2L-50A-HXY
- NVMFD5485NL-HXY
- NVMFD5875NL-HXY
- BSC037N08NS5-HXY
- BSC072N08NS5-HXY
- BSC057N08NS3G-HXY
- NTMFS4925N-HXY
- NTMFS4941N-HXY
- NTMFS4955N-HXY
- NTMFS4C08N-HXY
- SIR468DP-T1-GE3-HXY
- AON6576-HXY
- NTMFS4939N-HXY
- NTMFS4C027N-HXY
- SM95N03AD1RL-HXY
- FDMS0312AS-HXY
- SIR424DP-T1-GE3-HXY
- SIR802DP-T1-GE3-HXY
- FDS9435A-HXY
- SM9435PRL-HXY