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NVMFD5875NL-HXY
2个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 这款场效应管为N+N型，电流为50A，可承载较大功率。电压60V，适用于多种常见电路场景。内阻典型值11mR，能有效减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中。
- 商品型号
- NVMFD5875NL-HXY
- 商品编号
- C22366991
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SISB46DN-T1-GE3采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 40 V，漏极电流ID = 40 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 9.5 mΩ
应用领域
- 消费电子电源-电机控制-同步整流-隔离直流-同步整流应用
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