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BSC037N08NS5-HXY
1个N沟道 耐压:85V 电流:100A
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- 描述
- BSC037N08NS5 是一款高性能N沟道MOSFET，采用小型化DFN5X6-8L封装，专为高功率密度和高效能应用设计。该器件支持高达100V的工作电压VDSS，可提供稳健的85A连续电流输出，尤其突出的是其低至4.3mR的导通电阻RD(on)，极大地提升了能源利用效率并降低了系统损耗。无论是电源转换、马达驱动抑或是新能源产业，BSC037N08NS5 都以其卓越的电气性能和紧凑体积成为理想的选择。
- 商品型号
- BSC037N08NS5-HXY
- 商品编号
- C22366992
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 107.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 61.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.645nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 673pF |
商品概述
BSC057N08NS3G采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更高的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 85 V；漏极电流ID = 100 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 5.6 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离直流
- 同步整流应用
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