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BSC072N08NS5-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSC072N08NS5-HXY

1个N沟道 耐压:85V 电流:100A

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描述
BSC072N08NS5 是一款采用DFN5X6-8L封装的高效N沟道MOSFET,专注于提供卓越的电源管理解决方案。器件具备100V的额定电压VDSS,能可靠处理高达85A的连续电流,满足严苛的电流传输需求。其核心技术亮点是4.3mR的超低导通电阻RD(on),有效降低系统功耗,大幅提升能效。无论应用于电源转换、电机驱动、或者新能源领域,BSC072N08NS5 凭借出色的电气性能和紧凑尺寸,成为您的理想半导体元件之选。
商品型号
BSC072N08NS5-HXY
商品编号
C22366993
商品封装
DFN5x6-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.13克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)85V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))5.6mΩ@10V
耗散功率(Pd)107.8W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)61.3nC@10V
输入电容(Ciss)4.645nF
反向传输电容(Crss)41pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)673pF

数据手册PDF

优惠活动

  • 8

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