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IPG20N06S2L-50A-HXY

2个N沟道耐压:60V 电流:50A

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描述: IPG20N06S2L-50A 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为高效能与空间受限应用打造。器件支持最高60V的电压VDSS，能稳定承载50A的大电流，表现出众。其亮点在于导通电阻RD(on)仅为11mR，有效降低了系统功耗，提升了工作效率。IPG20N06S2L-50A 广泛应用在电源转换、电机驱动和高压负载开关等场景，是您构建高能效电子设备的理想半导体组件。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IPG20N06S2L-50A-HXY
商品编号: C22366989
商品封装: DFN-8(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.12克(g)

商品参数

NVTFS008N04C采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。该器件经过特殊设计，具备更好的耐用性和适用性。