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IPG20N06S2L-50A-HXY
2个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- IPG20N06S2L-50A 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为高效能与空间受限应用打造。器件支持最高60V的电压VDSS，能稳定承载50A的大电流，表现出众。其亮点在于导通电阻RD(on)仅为11mR，有效降低了系统功耗，提升了工作效率。IPG20N06S2L-50A 广泛应用在电源转换、电机驱动和高压负载开关等场景，是您构建高能效电子设备的理想半导体组件。
- 商品型号
- IPG20N06S2L-50A-HXY
- 商品编号
- C22366989
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
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