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SI7309DN-T1-E3-HXY

1个P沟道耐压:60V 电流:20A

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描述: SI7309DN-T1-E3 是一款采用DFN3X3-8L封装工艺的P沟道MOSFET，结构紧凑且性能强劲。该器件支持高达60V的工作电压VDSS，能有效处理15A连续电流，适应多种高电压、中等电流应用环境。特别值得关注的是其70mΩ的低导通电阻RD(on)，有助于减少系统能量损耗并提升工作效率。无论是用于电源转换、马达驱动还是其他要求严格的应用场合，SI7309DN-T1-E3 都将凭借出色电气性能及可靠品质，成为您的理想半导体解决方案。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SI7309DN-T1-E3-HXY
商品编号: C22366988
商品封装: DFN3x3-8L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.066克(g)

商品参数

TPN6R303NC采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性。