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NVTFS5C471NL-HXY
1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
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- 描述
- 此场效应管为N型，具有60A的电流承载能力和40V的电压耐受值。内阻典型值为6.9mR，能减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的电子设备，保障设备稳定运行。
- 商品型号
- NVTFS5C471NL-HXY
- 商品编号
- C22366984
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 690pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 193pF |
商品概述
IPP200N15N3G采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更高的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 150 V
- 漏极电流ID = 120 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 11.5 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流电源
- 同步整流应用
- N沟道MOSFET
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