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NVTFWS008N04C-HXY
1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
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- 描述
- 这款场效应管为N型，电流60A，可满足较大功率需求。电压40V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值6.9mR，有助于降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定电子设备的电流控制与稳定运行。
- 商品型号
- NVTFWS008N04C-HXY
- 商品编号
- C22366985
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.060268克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 690pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 193pF |
商品概述
ZXMP6A17K采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -60V，漏极电流ID = -10A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 140mΩ
应用领域
- 无刷电机
- 负载开关
- 不间断电源
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