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NVTFS008N04C-HXY
1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
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- 描述
- 这款场效应管为N型，电流为60A，可在一定功率需求下稳定工作。电压40V，适用于多种常见电路场景。内阻典型值6.9mR，能有效降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可满足特定电子设备的电流控制需求。
- 商品型号
- NVTFS008N04C-HXY
- 商品编号
- C22366983
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@4.5V | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NVTFWS008N04C采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更高的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 40 V，漏极电流ID = 40 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 8.5 mΩ
应用领域
- 消费电子电源-电机控制-同步整流-隔离式直流-同步整流应用
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