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IPT015N10N5-HXY
N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET
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- 描述
- IPT015N10N5采用先进的SGTMOS FET技术，具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更高的耐用性。
- 商品型号
- IPT015N10N5-HXY
- 商品编号
- C22366979
- 商品封装
- TOLL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.946939克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 312A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 390.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 250nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.12nF |
商品概述
IPT015N10N5采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件专为提高耐用性而设计。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V,漏极电流ID = 350 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 2 mΩ
应用领域
-电池保护-电源分配
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