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SM2302SRL-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SM2302SRL-HXY

1个N沟道 耐压:20V 电流:2.8A

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描述
SM2302SRL 是一款N沟道MOSFET,采用节省空间的SOT-23封装,尤其适用于轻薄型电子设备。其电气性能优异,最大漏源电压VDSS为20V,可稳定提供2.8A的连续漏极电流ID,同时拥有低至37mR的导通电阻RD(on),确保了高效能和低功耗的运作表现。该MOS管广泛运用于各种电源开关电路、负载开关控制、电池保护以及便携式电子产品的电源管理模块中。
商品型号
SM2302SRL-HXY
商品编号
C22366972
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.0285克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2.8A
导通电阻(RDS(on))35mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)900mW
阈值电压(Vgs(th))750mV
属性参数值
栅极电荷量(Qg)2.9nC@4.5V
输入电容(Ciss)260pF
反向传输电容(Crss)27pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)48pF

数据手册PDF