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SM2302SRL-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.8A
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- 描述
- SM2302SRL 是一款N沟道MOSFET，采用节省空间的SOT-23封装，尤其适用于轻薄型电子设备。其电气性能优异，最大漏源电压VDSS为20V，可稳定提供2.8A的连续漏极电流ID，同时拥有低至37mR的导通电阻RD(on)，确保了高效能和低功耗的运作表现。该MOS管广泛运用于各种电源开关电路、负载开关控制、电池保护以及便携式电子产品的电源管理模块中。
- 商品型号
- SM2302SRL-HXY
- 商品编号
- C22366972
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0285克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
商品概述
BSC123N08NS3G采用先进的SGT MOSFET技术，提供低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性和适用性。
商品特性
- VDS = 20V,ID = 2.8A
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 40mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- SOT - 23
- N沟道MOSFET
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