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ZXMN2F30FH-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.8A
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- 描述
- 此场效应管为N型，电流2.8A，可在较低功率需求下工作。电压20V，适用于多种常见小功率电路环境。内阻典型值37mR。VGS为12V。在消费电子领域，可用于一些小型电子设备的电流控制，保障设备稳定运行。
- 商品型号
- ZXMN2F30FH-HXY
- 商品编号
- C22366973
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0285克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
商品概述
BSC070N10NS5采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V，漏极电流ID = 75 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 9.2 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离直流
- 同步整流应用
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