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IPP200N15N3G-HXY
1个N沟道 耐压:150V 电流:120A
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- 描述
- IPP200N15N3G 是一款高性能N沟道MOSFET，采用经典的TO-220封装，适用于高功率电子设备。其关键特性包括最大漏源电压VDSS高达150V，能承载强劲的120A连续漏极电流，而导通电阻RD(on)仅为9.5mR，确保在大电流操作时也能保持极低的功率损耗和高效能表现。此款MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等高电流开关应用领域。
- 商品型号
- IPP200N15N3G-HXY
- 商品编号
- C22366977
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.853克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 178.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.31nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.4pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 268pF |
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