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IPD30N06S2L-23-HXY

1个N沟道耐压:60V 电流:50A

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描述: IPD30N06S2L-23 是一款高功率N沟道MOSFET，封装类型为TO-252-2L，专为高密度电源应用设计。该器件提供60V的最大漏源电压(VDSS)，并能在满载下处理50A的强大连续电流(ID)，且拥有优秀的导通特性，导通电阻仅为15mR(RD(on))，从而大大减少了功率损耗，提高了系统效率。广泛应用于开关电源、电池管理系统、电机驱动等对效率要求较高的场合。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IPD30N06S2L-23-HXY
商品编号: C22366971
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.378156克(g)

商品参数

AOD442G采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。