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SH8K26-HXY
2个N沟道 耐压:40V 电流:12A
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- 描述
- 此场效应管为N+N型，电流12A，可在一定功率范围内发挥作用。电压40V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值16mR，有助于减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可满足特定电子设备的电流和电压要求。
- 商品型号
- SH8K26-HXY
- 商品编号
- C22366963
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.114286克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 964pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 109pF |
商品概述
AO3418采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30 V，漏极电流ID = 5.8 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 28 mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5 V时，导通电阻RDS(ON) < 38 mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制（PWM）应用
- 负载开关
- 电源管理
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